| Folgende Abkürzungen und Bezeichnungen wurden in dieser Arbeit verwendet: | |
| 2D, 3D | zwei- und dreidimensional |
| AES | auger electron spectroscopy, Augerelektronenspektroskopie |
| BWA | Bragg-Williams approximation (Bragg-Williams-Näherung) |
| cp | close packed (dichtest gepackte Anordnung von Adsorbatatomen) |
| dl | Dislokation |
| FLAPW | full potential linearized augmented plane wave method |
| FM# | Frank-van-der-Merwe-Wachstum, reines Lagenwachstum mit # geschlossenen Lagen |
| HT | high temperature (Hochtemperatur-, im Gegensatz zu Tieftemperatur LT) |
| LEED | low energy electron difraction (Beugung langsamer Elektronen) |
| LEIS | low energy ion scattering (Streuung langsamer Ionen) |
| LGA | lattice gas approximation (Gittergasnäherung) |
| LT | low temperature (Tieftemperatur-, im Gegensatz zu Hochtemperatur HT) |
| MEIS | medium energy ion scattering (Streuung von Ionen mittlerer Energie) |
| MC | Monte Carlo (-Simulation) |
| QCA | quasi chemical approximation (Quasichemische Näherung) |
| PAX | XPS of adsorbed Xenon (XPS an adsorbiertem Xenon) |
| ps | pseudomorh (Anordnung von Adsorbatatomen) |
| HREELS | high resuluted energy electron difraction (Hochaufgelöste Beugung schneller Elektronen) |
| RT | Raumtemperatur, 300 K bzw. 30°C |
| SAM | scanning auger microscopy (Raster-Augerelektronenmikroskopie) |
| SK# | Stranski-Krastanov-Wachtum, unvollst. Lagenwachstum mit # geschlossenen Lagen |
| STM | scanning tunneling microscopy (Ratertunnelmikroskopie) |
| TDS | thermal desorption spectroscopy, Thermodesorptionsspektroskopie |
| TED | transmission electron difraction (Transmissionselektronenbeugung) |
| TEM | transmission electron microscopy (Transmissionselektronenspektroskopie) |
| UHV | Ultrahochvakuum |
| UPS | UV photoelectron spectroscopy (UV-Photoelektronenspektroskopie) |
| XPS | xray photoelectron spectroscopy (Röntgen-Photoelektronenspektroskopie) |
| XRD | xray difraction (Röntgenbeugung) |
| a, b, g, d | TD-Zustände |
| DF | Änderung der Elektronen-Austrittsarbeit |
| Die betrachteten Metall-Systeme wurden wie folgt bezeichnet: | |
| X/Z(hkl) | Adsorbat X deponiert auf Substrat Z mit der Oberfläche (hkl) |
| X+Y/Z(hkl) | Adsorbate X und Y auf Substrat Z mit der Oberfläche (hkl) |
| X;Y/Z(hkl) | Systeme X/Z(hkl) und Y/Z(hkl) |
| XY | (Adsorbat-) Metall X, legiert mit (Adsorbat-) Metall Y |
| X(Y) | Metall X, legiert mit wenig Metall Y |